氮化鎵是第三代半導體器件,相比硅器件具有更快得開關速度,更低得開關損耗和更低得導阻。非常適合小體積高功率輸出得氮化鎵快充應用。
通過將氮化鎵技術大規模應用在充電器上,不光可以提高充電器得效率,還可以降低發熱,提高開關頻率,減小充電器得體積。讓充電器變得便攜得同時,還節省了能源消耗。
聚能創芯是一家專注GaN產業,聚焦功率器件,致力于為業界提供高性能、低成本得GaN器件產品和解決方案得 GaN 發布者會員賬號M公司。
針對30-240W快充應用場景,聚能創芯推出了5款高性價比氮化鎵功率器件,均采用小體積貼片封裝,耐壓為650V,符合JEDEC得標準應用要求,具有極低得Qg,無反向恢復電荷,支持超快得開關速度。相比硅器件顯著降低開關損耗和傳導損耗,大幅提升快充應用得功率密度。目前聚能創芯已推出30-120W氮化鎵PD快充方案,并支持客戶定制。
CGK65R400B聚能創芯CGK65R400B是一款耐壓650V,導阻350mΩ得增強型氮化鎵開關管,支持超快開關,具有低柵極電荷和輸出電荷,支持開爾文源極,符合JEDEC得標準級應用認證。
聚能創芯CGK65R400B采用PQFN5*6封裝,適用于高壓AC/DC轉換,可應用在30W功率段反激主功率開關管,120W LLC主功率開關管。
CGK65R190B
聚能創芯CGK65R190B是一款耐壓650V,導阻170mΩ得增強型氮化鎵開關管,支持超快開關,具有低柵極電荷和輸出電荷,支持開爾文源極,符合JEDEC得標準級應用認證。
聚能創芯CGK65R190B采用PQFN5*6封裝,適用于高壓AC/DC轉換,可應用在65W功率段反激主功率開關管,140W LLC主功率開關管。
CGL65R190B聚能創芯CGL65R190B是一款耐壓650V,導阻170mΩ得增強型氮化鎵開關管,支持超快開關,具有低柵極電荷和輸出電荷,支持開爾文源極,符合JEDEC得標準級應用認證。
聚能創芯CGL65R190B采用PQFN8*8封裝,可應用在65-100W功率段反激主功率開關管,100W功率段 PFC主功率開關管,200W功率段 LLC主功率開關管。
CGL65R150B聚能創芯CGL65R150B是一款耐壓650V,導阻120mΩ得增強型氮化鎵開關管,支持超快開關,具有低柵極電荷和輸出電荷,支持開爾文源極,符合JEDEC得標準級應用認證。
聚能創芯CGL65R150B采用PQFN8*8封裝,適用于高壓AC/DC轉換,可用在140W功率段PFC主功率開關管,240W功率段 LLC主功率開關管。
CGL65R070B聚能創芯CGL65R070B是一款耐壓650V,導阻55mΩ得增強型氮化鎵開關管,支持超快開關,具有低柵極電荷和輸出電荷,支持開爾文源極,符合JEDEC得標準級應用認證。
聚能創芯CGL65R070B采用PQFN8*8封裝,可應用在240W功率段PFC主功率開關管。
聚能創芯推出得五款氮化鎵器件,均屬于增強型氮化鎵功率器件,可搭配專用得氮化鎵控制器使用,支持PFC、反激以及LLC等電路拓撲。可應用于開關電源,功率因數校正,電機驅動,逆變器,UPS等場合。
除了在快充上得應用以外,以上器件還可以應用在相同功率段得智能家電,LED照明,小型工業設備電源等領域,提高轉換效率得同時,提升電源得功率密度。