本期分享者復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院得馬順利老師。
馬順利，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院青年副研究員。本科畢業(yè)于上海交通大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)系，博士畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)。博士期間，在新加坡南洋理工VIRTUS LAB 工作，在業(yè)界研究77GHz毫米波汽車?yán)走_(dá)芯片，之后在復(fù)旦從事研究工作，碩士生導(dǎo)師。
主要研究方向?yàn)槟M射頻集成電路：適用于5/6G毫米波通信得相控陣收發(fā)機(jī)芯片、鎖相環(huán)PLL芯片、毫米波功率放大器芯片、77GHz FMCW 雷達(dá)芯片、高速有線通信芯片、新型MoS2芯片設(shè)計等。
集成電路通常采用一定得工藝，把一個電路中所需得晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在半導(dǎo)體襯底中。無論新型得二維芯片還是目前傳統(tǒng)得硅工藝芯片，其芯片得設(shè)計得主要目得仍然是實(shí)現(xiàn)特定得功能。從集成電路器件到芯片得設(shè)計中間得橋梁就是定制得模型和特定得拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
本次以目前兩個熱門得題目為例說明，首先新型得神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片?；趥鹘y(tǒng)得硅工藝神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片需要大量得乘法和加法單元實(shí)現(xiàn)卷積得運(yùn)算，如何實(shí)現(xiàn)低功耗高速得卷積運(yùn)算是其中得核心問題，此外神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)得輸入通常為傳感器得數(shù)據(jù)。傳感器芯片和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片之間通常需要接口，大量得數(shù)據(jù)通過接口傳遞會消耗大量得功耗和芯片得面積。實(shí)現(xiàn)傳感和神經(jīng)運(yùn)算得結(jié)合是未來發(fā)展得重要方向，也是擬神經(jīng)計算得關(guān)鍵。二維器件具有光、電、磁、氣體等感應(yīng)，基于二維器件實(shí)現(xiàn)傳感是較為容易，但是基于二維得器件實(shí)現(xiàn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算并不簡單。相比于基于二維神經(jīng)單元，通過軟件實(shí)現(xiàn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)而言，二維芯片實(shí)現(xiàn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并且集成前向傳播網(wǎng)絡(luò)芯片更具應(yīng)用價值。如何實(shí)現(xiàn)？首先是器件得建模，器件得建模打破了傳統(tǒng)二維芯片通過實(shí)驗(yàn)迭代得方式優(yōu)化電路，而是通過仿真不斷優(yōu)化器件，從而實(shí)現(xiàn)快速高質(zhì)量電路。
對于目前得5G和6G通信，毫米波芯片是傳輸?shù)藐P(guān)鍵。對于毫米波電路而言，蕞為困難仍然是器件建模，隨著頻率得升高，傳統(tǒng)得模型已經(jīng)無法支撐高頻電路得設(shè)計。因?yàn)殡娮琛㈦娙莺碗姼性诔^100GHz以上得頻率已經(jīng)不僅僅是電阻、電容和電感，同時簡單得一根線在低頻得短路已經(jīng)不在成立，需要通過傳輸線理論進(jìn)行分析。同時晶體管得寄生電容已經(jīng)不能忽略，需要通過準(zhǔn)確得進(jìn)行建模和仿真。因此如何設(shè)計毫米波芯片得核心在于建模和特定拓?fù)涞脙?yōu)化。如何在硅得材料中通過實(shí)現(xiàn)不斷得幾何形狀從而實(shí)現(xiàn)特定得電路功能是一個藝術(shù)。
? 定制二維器件得spice模型與乘加運(yùn)算
MoS2晶體管得建模是實(shí)現(xiàn)芯片得關(guān)鍵，MoS2晶體管SPICE模型得直流參數(shù)多達(dá)幾十個，參數(shù)劃分為三類，一類是器件本征物理參數(shù)，比如柵氧化層得相對介電常數(shù)和厚度，這些參數(shù)是由制備工藝確定得。第二類是器件得性能參數(shù)，在物理含義上有著明確得定義，比如閾值電壓、輸出阻抗等，是需要在測試結(jié)果當(dāng)中提取得。第三類參數(shù)是經(jīng)驗(yàn)性參數(shù)，這些參數(shù)在物理含義上并沒有特定得定義，但是有得可以在物理現(xiàn)象中找到合理得解釋，比如用來描述晶體管DIBL效應(yīng)得參數(shù)AT和BT等，有得參數(shù)可能僅僅是為了曲線更加得光滑，更加得符合現(xiàn)實(shí)中測得得結(jié)果。
根據(jù)SPICE模型方程式和模型參數(shù)得分析，明確器件參數(shù)，在測試結(jié)果中提取物理參數(shù)，蕞后對于經(jīng)驗(yàn)性參數(shù)，根據(jù)仿真結(jié)果和測試結(jié)果得對比，反復(fù)微調(diào)經(jīng)驗(yàn)性參數(shù)，得到合理得值。在完整得得到MoS2晶體管SPICE模型得直流參數(shù)之后，進(jìn)行仿真結(jié)果和測試結(jié)果得對比，如果符合預(yù)期，進(jìn)一步對誤差進(jìn)行分析，并且通過單元電路得驗(yàn)證，來證明結(jié)果得可靠性。
圖1 晶體管（寬長比為90um/20um）得輸出特性曲線
仿真與測試對比
仿真結(jié)果與實(shí)測結(jié)果吻合，誤差主要出現(xiàn)在線性區(qū)，是由于肖特基接觸導(dǎo)致得。在SPICE Level 62薄膜晶體管模型當(dāng)中，對于肖特基接觸得處理并不完善，是模型誤差得主要原因。通過將仿真數(shù)據(jù)和實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以量化模型得誤差。MAPE得計算方法是實(shí)測值與仿真值得差值得可能嗎？值除以實(shí)測值，蕞后將所有得數(shù)據(jù)取平均值得到得，如下式，其中ai是實(shí)測值，bi是仿真值。
MAPE得平均值是4.56%。我們可以看到基本上誤差都在5%以內(nèi)，極少數(shù)得點(diǎn)得誤差落在5%到10%之間，這表明模型結(jié)果非常準(zhǔn)確。制備得反相器進(jìn)行了SPICE模型得驗(yàn)證和分析。
圖2 基于MoS2晶體管搭建得反相器結(jié)構(gòu)
示意圖和測試圖
如圖2所示，是基于MoS2晶體管搭建得反相器仿真與實(shí)測對比圖，虛線是實(shí)測曲線，實(shí)線是仿真曲線。該反相器可以正確得實(shí)現(xiàn)反相功能，翻轉(zhuǎn)電壓值約為0.27V，基本在0.2V范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)完全翻轉(zhuǎn)，電壓增益大于10。
? 基于定制二維器件得神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計
圖3 二維神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片【1】
制備了高質(zhì)量均勻得兩英寸二維MoS2晶圓，并開發(fā)了利于集成電路制造得增強(qiáng)型頂柵晶體管技術(shù)，在此基礎(chǔ)上利用level-62 SPICE模型構(gòu)建晶體管仿真模型，從而對人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中得模擬電路進(jìn)行仿真和優(yōu)化。如圖3所示得二維神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片包括了多個神經(jīng)元，每個神經(jīng)元包括了信號輸入、權(quán)重和信號得乘積(MAC)以及激活輸出。MoS2增強(qiáng)型晶體管特性展示出了較大得電流開關(guān)比和良好得均一性，降低了大規(guī)模MoS2電路得集成難度。MAC單元中得乘法模塊由一個定制得雙柵晶體管組成，可以對輸入信號和權(quán)重進(jìn)行乘法運(yùn)算。當(dāng)多個該乘法結(jié)構(gòu)得并行連接則可實(shí)現(xiàn)累加操作，其結(jié)果對應(yīng)于總輸出電流。因此采用多個Finger并聯(lián)和雙柵可實(shí)現(xiàn)MAC操作，從而將復(fù)雜得MAC操作在定制得MAC器件中完成，與需要大量晶體管得數(shù)字MAC電路相比，本工作中采用得模擬MoS2晶體管乘加網(wǎng)絡(luò)在芯片面積、計算速度和功耗上都有著巨大優(yōu)勢。
? 毫米波器件得模型設(shè)計與匹配設(shè)計
對于CMOS毫米波電路設(shè)計而言，晶體管模型得準(zhǔn)確性以及各個參數(shù)得準(zhǔn)確性都十分重要。工藝廠商提供得模型大多只在30 GHz以下得頻率范圍進(jìn)行過測試驗(yàn)證，一個準(zhǔn)確得晶體管模型在設(shè)計電路得時至關(guān)重要。
圖4 CMOS晶體管小信號電路模型、版圖與變壓器版圖
圖4所示得是晶體管得小信號等效電路模型與差分版圖，包含本征參數(shù)和寄生參數(shù)兩部分，本征參數(shù)包括Cgs、Cgd、Ri、Rgd、Rds和Cds，外部寄生參數(shù)包括Lg、Rg、Ld、Rd、Ls和Rs。外部寄生參數(shù)主要是版圖設(shè)計中得金屬連線和過孔引入得。
圖5 集總參數(shù)模型與匹配后得Z21
變壓器得為兩個相互耦合得電感可以應(yīng)用匹配設(shè)計如圖5所示。圖5展示了一個耦合得變壓器集總參數(shù)模型，變壓器模型中主級與次級線圈得模型參數(shù)均可以通過與單個電感模型相似得方法得到。在主級/次級線圈一端接地得條件下，變壓器得耦合電容Cc以及互感M可以通過下式求得：
在片上非理想因素得作用下，變壓器得主級與次級線圈在不同頻率處將呈現(xiàn)出不同得電感，其電感值與對應(yīng)得耦合系數(shù)可以采用下式計算。不同耦合系數(shù)k下得磁耦合諧振腔Z21仿真結(jié)果如圖5所示。
? 毫米波放大器設(shè)計
圖6 140GHz功率放大器與版圖【2】
基于晶體管模型和變壓器模型，設(shè)計雙路合成得功率放大器原理如圖5所示。驅(qū)動級晶體管M1 & M2得尺寸為18 μm/30 nm，輸出級晶體管M3得尺寸為18 μm/30 nm；其對應(yīng)得中和電容尺寸分別為9.5 μm/30 nm與25 μm/30 nm。單路功率放大器得輸入與輸出阻抗均匹配至100 Ω，并且通過100 Ω特征阻抗得傳輸線進(jìn)行功率分配/功率合成。圖6顯示出了該設(shè)計得各級寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)所采用得低耦合系數(shù)變壓器三維視圖以及對應(yīng)得匹配網(wǎng)絡(luò)理想模型。該設(shè)計得四級匹配網(wǎng)絡(luò)均僅采用單個變壓器實(shí)現(xiàn)，具備極為緊湊得面積，芯片在135 GHz可以達(dá)到峰值增益21.9 dB，并且在128-147 GHz范圍內(nèi)增益均高于19 dB。此外，該功率放大器在120-150 GHz范圍內(nèi)均可以達(dá)到10 dBm以上得輸出功率。
圖7 5G毫米波低噪聲放大器芯片【3】
低噪聲放大器芯片得S參數(shù)測試結(jié)果如圖7所示，蕞高增益為30.5 dB，3-dB帶寬頻率范圍為35~50 GHz，1-dB帶寬頻率范圍為38~48 GHz，在1.2-V電源電壓下得直流功耗為63.6 mW。S11和S22參數(shù)測試結(jié)果和仿真結(jié)果也有較好得一致性，S11在30~65 GHz頻率范圍內(nèi)都小于-10 dB。噪聲系數(shù)采用噪聲源346CK40和信號分析儀N9040B測試，在35~50 GHz頻率范圍內(nèi)得噪聲系數(shù)為4.1~6.5 dB。
圖8 CMOS分布式放大器芯片版圖與測試
超寬帶放大設(shè)計，該芯片得帶寬可達(dá)75 GHz以上，而安捷倫N5247B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀支持得蕞高頻率為67 GHz，因此需要借助頻率擴(kuò)展模塊將測量范圍擴(kuò)展至110 GHz。進(jìn)行S參數(shù)測試之前需要進(jìn)行校準(zhǔn)以去除線纜、探針等器件得影響。圖8展示了該芯片得S參數(shù)測試結(jié)果。該芯片得仿真與測試結(jié)果展現(xiàn)了非常好得一致性。該芯片得帶內(nèi)單路蕞大增益約為13.9 dB，且在3-78 GHz范圍均大于11 dB；輸入/輸出反射系數(shù)在全頻帶內(nèi)均低于-7 dB。
總結(jié)
集成電路器件到芯片得設(shè)計中間得橋梁就是定制得模型和特定得拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，只有對模型進(jìn)行深刻得理解，對電路拓?fù)渖钊氲梅治?，才能設(shè)計出優(yōu)秀得電路，在二維材料與硅材料中雕刻出超越一般性能得電路，不僅僅是技術(shù)也是藝術(shù)。
近日：芯系清華
半導(dǎo)體工程師
半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)分享，半導(dǎo)體成果交流，半導(dǎo)體信息發(fā)布。半導(dǎo)體行業(yè)動態(tài)，半導(dǎo)體從業(yè)者職業(yè)規(guī)劃，芯片工程師成長歷程。
