大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工藝的戰(zhàn)略了，這個過程中最重要的提升就是20A及18A兩代工藝，將在2024年上半年、下半年準備就緒，相當于友商的2nm及1.8nm工藝，比臺積電的進度要快2年。
Intel的目標是在2025年實現(xiàn)重返半導體工藝領先地位，能不能成功的關鍵就看20A及18A了。
從技術(shù)上來說，20A及18A不僅是首款進入埃米節(jié)點的工藝，還會首發(fā)兩大突破性技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構(gòu)。
該技術(shù)加快了晶體管開關速度，同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網(wǎng)絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。
最終到底如何？以20A為例，它的每瓦性能比Intel 3高出15%，后者又比Intel 4高出18%，Intel 4又比當前的Intel 7工藝提升20%的每瓦性能，算下來20A比當前的13代酷睿能效高出63%以上。
如此夸張的能效下，有網(wǎng)友計算了下，這就意味著當前250W酷睿i9-13900K的性能當時候至需要90W即可，不需要高功耗就能實現(xiàn)強大性能釋放，對筆記本來說尤其重要。
當然，這些還是20A工藝的紙面性能，具體如何還要等產(chǎn)品上市，首發(fā)20A工藝的應該是15代酷睿Arrow Lake了，明年上市。
